IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

產品型號：FF600R12ME4
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
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北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊FF600R12ME4

典型應用
• • 大功率變流器
• • 電機傳動
• • 伺服驅動器
• • UPS系統
• • 風力發電機

電氣特性
• • 低VCEsat
• • Tvjop=150°C
• • VCEsat帶正溫度系數

FF600R12ME4的新款EconoDUAL™ 3模塊是頗受歡迎的EconoDUAL™系列中功率zui高的產品，電壓為1200V，電流為600A。典型應用包括變頻器、光伏發電系統中的集中式逆變器和CAV車輛的柴油發電機驅動等。這款產品在互連技術和熱阻方面實現了*模塊設計，具有很高的電流利用率，因而十分高效。借助EconoDUAL™ 3 FF600R12ME4，用戶可以將功率范圍提高多達30%，而產品的封裝尺寸保持不變。除熟悉的焊接式控制端之外，EconoDUAL™ 3系列的這款新產品還提供高度可靠的PressFIT壓接技術控制端。
FF450R17ME3
FF225R17ME4
FF450R12ME3
FF300R12ME3
FF225R12ME4
FF600R06ME3
FF200R17KE4 200A,1700V 原裝
FF300R17KE4 300A,1700V 原裝
FF150R17KE4 150A,1700V 原裝
FF600R12ME4 600V,1200V 原裝
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FF450R17ME4
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FF300R12ME4
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FF600R12IS4F
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FF1400R12IP4
FF900R12IP4
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FF450R12IE4
FF900R12IE4 900A,1200V,IGBT4,PrimePack2
FF225R17ME4 225A,1700V,螺栓型原裝
FF300R17ME4 300A,1700V,螺栓型原裝